型号 | PHM30NQ10T,518 |
厂商 | NXP Semiconductors |
描述 | MOSFET N-CH 100V 37.6A SOT685-1 |
PHM30NQ10T,518 PDF | |
代理商 | PHM30NQ10T,518 |
标准包装 | 2,500 |
系列 | TrenchMOS™ |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 37.6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 20 毫欧 @ 18A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 53.7nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 3600pF @ 25V |
功率 - 最大 | 62.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-VDFN 裸露焊盘 |
供应商设备封装 | 8-HVSON |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | 934057308518 PHM30NQ10T /T3 PHM30NQ10T /T3-ND |