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型号 PHM30NQ10T,518
厂商 NXP Semiconductors
描述 MOSFET N-CH 100V 37.6A SOT685-1
PHM30NQ10T,518 PDF
代理商 PHM30NQ10T,518
标准包装 2,500
系列 TrenchMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 37.6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 20 毫欧 @ 18A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 53.7nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 3600pF @ 25V
功率 - 最大 62.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-VDFN 裸露焊盘
供应商设备封装 8-HVSON
包装 带卷 (TR)
其它名称 934057308518
PHM30NQ10T /T3
PHM30NQ10T /T3-ND
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